封裝的失效機理可以分為兩類(lèi)：過(guò)應力和磨損。過(guò)應力失效往往是瞬時(shí)的、災難性的;磨損失效是長(cháng)期的累積損壞，往往首先表示為性能退化，接著(zhù)才是器件失效。失效的負載類(lèi)型又可以分為機械、熱、電氣、輻射和化學(xué)負載等?！ ∮绊懛庋b缺陷和失效的因素是多種多樣的， 材料成分和屬性、封裝設計、環(huán)境條件和工藝參數等都會(huì )有所影響。確定影響因素和預防封裝缺陷和失效的基本前提。影響因素可以通過(guò)試驗或者模擬仿真的方法來(lái)確…
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以往，汽車(chē)的動(dòng)力、材質(zhì)、外形往往是汽車(chē)發(fā)展的主要方向，也是車(chē)廠(chǎng)和用戶(hù)*為看重的要素。如今，隨著(zhù)汽車(chē)電子化程度的提升以及汽車(chē)智能化，網(wǎng)絡(luò )化浪潮的來(lái)臨，車(chē)內半導體數量猛增， 預計到2025年，汽車(chē)電子成本會(huì )占到整車(chē)成本的一半左右。半導體芯片已成為推動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新的重要力量之一?！ ⊥瑫r(shí)，用戶(hù)體驗成為了人們關(guān)注的重點(diǎn)。例如，作為用戶(hù)交互*重要載體，車(chē)內屏幕的進(jìn)化從來(lái)都沒(méi)有停下來(lái)過(guò)，傳統的儀表盤(pán)、…
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傳統半導體封裝的七道工序 晶圓切割首先將晶片用薄膜固定在支架環(huán)上，這是為了確保晶片在切割時(shí)被固定住，然后把晶元根據已有的單元格式被切割成一個(gè)一個(gè)很微小的顆粒，切割時(shí)需要用去離子水冷卻切割所產(chǎn)生的溫度，而本身是防靜電的?！ 【A粘貼晶圓粘貼的目的將切割好的晶元顆粒用銀膏粘貼在引線(xiàn)框架的晶元廟上，用粘合劑將已切下來(lái)的芯片貼裝到引線(xiàn)框架的中間燥盤(pán)上。通常是環(huán)氧(或聚酰亞胺)用作為填充物以增加粘合劑…
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化合物半導體市場(chǎng)SiC功率模塊封裝技術(shù)的新挑戰 New challenge 01 引線(xiàn)鍵合和復雜的內部互連結構帶來(lái)的問(wèn)題 引線(xiàn)鍵合和復雜的內部互連結構帶來(lái)較大的寄生電容和寄生電感。SiC 功率芯片的開(kāi)關(guān)速度可以更快，因而電壓和電流隨時(shí)間的變化率(dv/dt 和di/dt)就更大，這會(huì )對驅動(dòng)電壓的波形帶來(lái)過(guò)沖和震蕩，會(huì )引起開(kāi)關(guān)損耗的增加，嚴重時(shí)甚至會(huì )引起功率器件的誤開(kāi)關(guān)，因此 SiC …
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第一代半導體以硅 (Si)、鍺 (Ge) 材料為代表，主要應用在數據運算領(lǐng)域，奠定了微電子產(chǎn)業(yè)基礎。第二代半導體以砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 為代表，主要應用于通信領(lǐng)域，用于制作高性能微波、毫米波及發(fā)光器件，奠定了信息產(chǎn)業(yè)基礎。隨著(zhù)技術(shù)發(fā)展和應用需要的不斷延伸，二者的局限性逐漸體現出來(lái)，難以滿(mǎn)足高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型化等使用需求?！ ∫蕴蓟?…
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工研院業(yè)科技國際策略發(fā)展所于4日指出，中國臺灣IC產(chǎn)業(yè)2021年產(chǎn)值將首度突破4兆元，達新臺幣4.1兆元，較2020全年成長(cháng)25.9%，大幅高于全球市場(chǎng)平均。同時(shí)，IC設計業(yè)2021年產(chǎn)值將首度突破兆元，達1.20兆元，成長(cháng)40.7% 工研院表示，2020年全球受到新冠肺炎疫情影響，全球經(jīng)濟從實(shí)體經(jīng)濟轉換為在線(xiàn)經(jīng)濟與零接觸活動(dòng)，無(wú)論是在線(xiàn)購物、在線(xiàn)咨詢(xún)、在線(xiàn)會(huì )議、在線(xiàn)課程等，延續到202…
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1、IGBT模塊結構 IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構成，芯片之間通過(guò)鋁導線(xiàn)實(shí)現電氣連接。標準的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì )并有續流二極管，接著(zhù)在芯片上方灌以大量的硅凝膠，最后用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結構如圖1-1所示?！ 纳现滤来斡尚酒?，DBC(Directed Bonding Copper)以及金屬散熱板(通常選用銅)三部分組成。DBC由三層材料構成，上下兩…
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芯片底部填充膠主要用于CSP/BGA 等倒裝芯片的補強，提高電子產(chǎn)品的機械性能和可靠性。根據芯片組裝的要求，討論了底部填充膠在使用中的工藝要求以及缺陷分析方法?！ 〉寡b焊連接技術(shù)是目前半導體封裝的主流技術(shù)。倒裝芯片連接引線(xiàn)短，焊點(diǎn)直接與印刷線(xiàn)路板或其它基板焊接，引線(xiàn)電感小，信號間竄擾小，信號傳輸延時(shí)短，電性能好，是互連中延時(shí)*短、寄生效應*小的一種互連方法。這些優(yōu)點(diǎn)使得倒裝芯片在便攜式設備…
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第三代半導體也稱(chēng)為寬禁帶半導體，不同于傳統的半導體主要賴(lài)硅晶圓，它在材料層面上實(shí)現了更新。而與第一代、第二代半導體并非替代關(guān)系，而是形成互補，三者特性各異、用途不同?！ 【唧w來(lái)看，第一代半導體材料以硅(Si)和鍺(Ge)為主，是CPU處理器等集成電路主要運用的材料;第二代半導體包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等，目前手機所使用的關(guān)鍵通信芯片都采用這類(lèi)材料制作?！ 〉谌雽w材料主要是…
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