封裝的失效機理可以分為兩類：過應力和磨損。過應力失效往往是瞬時的、災難性的;磨損失效是長期的累積損壞，往往首先表示為性能退化，接著才是器件失效。失效的負載類型又可以分為機械、熱、電氣、輻射和化學負載等?！ ∮绊懛庋b缺陷和失效的因素是多種多樣的， 材料成分和屬性、封裝設計、環境條件和工藝參數等都會有所影響。確定影響因素和預防封裝缺陷和失效的基本前提。影響因素可以通過試驗或者模擬仿真的方法來確…
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以往，汽車的動力、材質、外形往往是汽車發展的主要方向，也是車廠和用戶*為看重的要素。如今，隨著汽車電子化程度的提升以及汽車智能化，網絡化浪潮的來臨，車內半導體數量猛增， 預計到2025年，汽車電子成本會占到整車成本的一半左右。半導體芯片已成為推動汽車產業創新的重要力量之一?！ ⊥瑫r，用戶體驗成為了人們關注的重點。例如，作為用戶交互*重要載體，車內屏幕的進化從來都沒有停下來過，傳統的儀表盤、…
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傳統半導體封裝的七道工序 晶圓切割首先將晶片用薄膜固定在支架環上，這是為了確保晶片在切割時被固定住，然后把晶元根據已有的單元格式被切割成一個一個很微小的顆粒，切割時需要用去離子水冷卻切割所產生的溫度，而本身是防靜電的?！ 【A粘貼晶圓粘貼的目的將切割好的晶元顆粒用銀膏粘貼在引線框架的晶元廟上，用粘合劑將已切下來的芯片貼裝到引線框架的中間燥盤上。通常是環氧(或聚酰亞胺)用作為填充物以增加粘合劑…
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化合物半導體市場SiC功率模塊封裝技術的新挑戰 New challenge 01 引線鍵合和復雜的內部互連結構帶來的問題 引線鍵合和復雜的內部互連結構帶來較大的寄生電容和寄生電感。SiC 功率芯片的開關速度可以更快，因而電壓和電流隨時間的變化率(dv/dt 和di/dt)就更大，這會對驅動電壓的波形帶來過沖和震蕩，會引起開關損耗的增加，嚴重時甚至會引起功率器件的誤開關，因此 SiC …
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第一代半導體以硅 (Si)、鍺 (Ge) 材料為代表，主要應用在數據運算領域，奠定了微電子產業基礎。第二代半導體以砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 為代表，主要應用于通信領域，用于制作高性能微波、毫米波及發光器件，奠定了信息產業基礎。隨著技術發展和應用需要的不斷延伸，二者的局限性逐漸體現出來，難以滿足高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環境以及輕便小型化等使用需求?！ ∫蕴蓟?…
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工研院業科技國際策略發展所于4日指出，中國臺灣IC產業2021年產值將首度突破4兆元，達新臺幣4.1兆元，較2020全年成長25.9%，大幅高于全球市場平均。同時，IC設計業2021年產值將首度突破兆元，達1.20兆元，成長40.7% 工研院表示，2020年全球受到新冠肺炎疫情影響，全球經濟從實體經濟轉換為在線經濟與零接觸活動，無論是在線購物、在線咨詢、在線會議、在線課程等，延續到202…
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1、IGBT模塊結構 IGBT模塊主要由若干混聯的IGBT芯片構成，芯片之間通過鋁導線實現電氣連接。標準的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，最后用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結構如圖1-1所示?！ 纳现滤来斡尚酒?，DBC(Directed Bonding Copper)以及金屬散熱板(通常選用銅)三部分組成。DBC由三層材料構成，上下兩…
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芯片底部填充膠主要用于CSP/BGA 等倒裝芯片的補強，提高電子產品的機械性能和可靠性。根據芯片組裝的要求，討論了底部填充膠在使用中的工藝要求以及缺陷分析方法?！ 〉寡b焊連接技術是目前半導體封裝的主流技術。倒裝芯片連接引線短，焊點直接與印刷線路板或其它基板焊接，引線電感小，信號間竄擾小，信號傳輸延時短，電性能好，是互連中延時*短、寄生效應*小的一種互連方法。這些優點使得倒裝芯片在便攜式設備…
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第三代半導體也稱為寬禁帶半導體，不同于傳統的半導體主要賴硅晶圓，它在材料層面上實現了更新。而與第一代、第二代半導體并非替代關系，而是形成互補，三者特性各異、用途不同?！ 【唧w來看，第一代半導體材料以硅(Si)和鍺(Ge)為主，是CPU處理器等集成電路主要運用的材料;第二代半導體包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等，目前手機所使用的關鍵通信芯片都采用這類材料制作?！ 〉谌雽w材料主要是…
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