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    公司新聞 行業(yè)新聞 常見(jiàn)問(wèn)題
    LED除泡方案:碗杯底部、金線(xiàn)下方晶片旁氣泡

    LED除泡方案:碗杯底部、金線(xiàn)下方晶片旁氣泡

      此類(lèi)氣泡一般較少并且有規律(1-2pcs左右,基本在同一位置)?! ‘a(chǎn)生此類(lèi)氣泡主要有以下幾方面的原因:  1.點(diǎn)膠機速度過(guò)快。點(diǎn)膠速度過(guò)快是萬(wàn)惡之源?! ?.點(diǎn)膠針頭位置不合理 or 針頭毛刺現象嚴重。位置不合理包括預設針頭初始位置不合理、針頭高度不合理、點(diǎn)膠過(guò)程中機器 or 夾具偏差 or 支架起伏 or 作業(yè)員未按要求統一放置支架所帶來(lái)的針頭偏離合理位置等?! ?.支架吸濕 or 表…

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    晶圓廠(chǎng)加快建設投產(chǎn)!華潤微等立下“軍令狀”-晶圓壓膜機

    晶圓廠(chǎng)加快建設投產(chǎn)!華潤微等立下“軍令狀”-晶圓壓膜機

      1月28日,在廣東省高質(zhì)量發(fā)展大會(huì )上,華潤微電子有限公司總裁李虹、粵芯半導體總裁陳衛分別對外公布了最新項目動(dòng)態(tài),立下“軍令狀”?! ∪A潤微深圳建設的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線(xiàn)一期總投資額超220億元,爭取2024年年底實(shí)現通線(xiàn)投產(chǎn)!粵芯半導體,加快三期項目建設,爭取2023年年底設備搬入、明年投產(chǎn)!  1、新進(jìn)展!華潤微深圳:12英寸集成電路生產(chǎn)線(xiàn)項目:2024年年底實(shí)現通線(xiàn)投產(chǎn)!  1月…

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    SMT貼片加工點(diǎn)膠工藝和技術(shù)要求-ELT真空脫泡機

    SMT貼片加工點(diǎn)膠工藝和技術(shù)要求-ELT真空脫泡機

      引線(xiàn)元件通孔插裝(THT)與表面貼裝(SMT)共存的貼插混裝工藝,是當前電子產(chǎn)品生產(chǎn)中采用最普遍的一種組裝方式。在整個(gè)生產(chǎn)工藝流程中,印刷電路板(PCB)其中一面元件從開(kāi)始進(jìn)行點(diǎn)膠固化后,到了最后才能進(jìn)行波峰焊焊接,這期間間隔時(shí)間較長(cháng),而且進(jìn)行其他工藝較多,元件的固化就顯得尤為重要,因而對于點(diǎn)膠工藝的研究分析有著(zhù)重要意義?! MT貼片加工膠水及其技術(shù)要求  SMT中使用的膠水主要用于片式元件…

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    微電子封裝點(diǎn)膠技術(shù)的發(fā)展-ELT脫泡機

    微電子封裝點(diǎn)膠技術(shù)的發(fā)展-ELT脫泡機

      流體點(diǎn)膠是一種以受控的方式對流體進(jìn)行精確分配的過(guò)程,它是微電子封裝行業(yè)的關(guān)鍵技術(shù)之一。目前,點(diǎn)膠技術(shù)逐漸由接觸式點(diǎn)膠向無(wú)接觸式(噴射)點(diǎn)膠技術(shù)轉變。本文從微電子封裝過(guò)程的應用出發(fā),對點(diǎn)膠技術(shù)的發(fā)展進(jìn)行了概述;在對比各種點(diǎn)膠方式的同時(shí),重點(diǎn)介紹了無(wú)接觸式噴射點(diǎn)膠技術(shù),以及其中所涉及的關(guān)鍵技術(shù),并提出了評價(jià)點(diǎn)膠品質(zhì)的標準?! ×黧w點(diǎn)膠技術(shù)是微電子封裝中的一項關(guān)鍵技術(shù),它可以構造形成點(diǎn)、線(xiàn)、面(涂敷…

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    晶圓制造過(guò)程及系統級封裝技術(shù)分析

    晶圓制造過(guò)程及系統級封裝技術(shù)分析

      智能時(shí)代,芯片在我們的生活中無(wú)所不在,一顆芯片的誕生,需要經(jīng)過(guò)晶圓制造和芯片成品制造兩大階段?! 【A制造過(guò)程非常復雜,需要經(jīng)歷曝光、蝕刻、離子注入、金屬填充、研磨等一系列步驟后,晶圓上的集成電路才能最終成型?! ∪欢A本身是“脆弱”且“封閉”的,無(wú)法直接使用,只有經(jīng)過(guò)封裝和測試流程,才能最終生產(chǎn)出獨立、連通、可靠的芯片成品?! ∧敲?,芯片究竟是怎樣被封裝的呢?  我們首先介紹一種技術(shù)成熟、…

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    三星電子計劃明年擴大晶圓代工產(chǎn)能 急需晶圓壓膜機

    三星電子計劃明年擴大晶圓代工產(chǎn)能 急需晶圓壓膜機

      韓國《首爾經(jīng)濟日報》表示,盡管明年全球經(jīng)濟將放緩,三星電子仍計劃明年在其最大半導體工廠(chǎng)增加芯片產(chǎn)能。據稱(chēng),三星 2023 年存儲器和系統半導體的晶圓產(chǎn)能提高約 10%?! I(yè)內消息人士稱(chēng),三星電子將在位于韓國平澤的 P3 工廠(chǎng)增加 DRAM 設備,12 英寸晶圓月產(chǎn)能可達 7 萬(wàn)片,明年將把 P3 代工晶圓產(chǎn)能提高 3 萬(wàn)片(共 10 萬(wàn)),高于目前 P3 廠(chǎng) DRAM 產(chǎn)線(xiàn)的每月 2…

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    毛細管底部填充與塑封底部填充工藝對比及氣泡問(wèn)題方案

    毛細管底部填充與塑封底部填充工藝對比及氣泡問(wèn)題方案

      毛細管底部填充(CUF)工藝與塑封底部填充(MUF)工藝對比  傳統底部填充料中二氧化硅等填料的質(zhì)量含量一般在 50%~70%之間,而塑封底部填充料申二氧化硅的質(zhì)量含量高達 80%。同時(shí)因為工藝的特點(diǎn),塑封底部填充料要求一氧化硾的尺寸更小。塑封底部填充技術(shù)與傳統底部填充技術(shù)相比,對工藝進(jìn)行了簡(jiǎn)化,同時(shí)提高了生產(chǎn)效率及封裝的可靠性,可以滿(mǎn)足不斷發(fā)展的市場(chǎng)整體產(chǎn)品需求?! ≌繳nderfil…

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    長(cháng)電科技實(shí)現4納米芯片封裝 空洞問(wèn)題急帶解決

    長(cháng)電科技實(shí)現4納米芯片封裝 空洞問(wèn)題急帶解決

      近幾個(gè)月,全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商長(cháng)電科技宣布,公司在先進(jìn)封測技術(shù)領(lǐng)域又取得新的突破,實(shí)現4納米(nm)工藝制程手機芯片的封裝,以及CPU、GPU和射頻芯片的集成封裝?! ?納米芯片是5納米之后、3納米之前*先進(jìn)的硅節點(diǎn)技術(shù),也是導入小芯片(Chiplet)封裝的一部分。作為集成電路領(lǐng)域的頂尖科技產(chǎn)品之一,4納米芯片可被應用于智能手機、5G通信、人工智能、自動(dòng)駕駛,以及包括GPU…

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    半導體晶圓越做越大 壓膜問(wèn)題日漸突出

    半導體晶圓越做越大 壓膜問(wèn)題日漸突出

      硅錠直徑從20世紀50年代初期的不到25mm增加到現在的300mm,硅片直徑的歷史發(fā)展趨勢如圖所示?! ∧壳吧a(chǎn)直徑為75mm、100mm、125mm和150mm的硅片的設備仍在使用中,由于把設備升級成能生產(chǎn)更大直徑的硅片需要花費上億美元,所以最常見(jiàn)的做法是在建設新工廠(chǎng)時(shí)才引入新的硅片直徑。在2000年左右,半導體產(chǎn)業(yè)開(kāi)始轉向300mm直徑的硅片,進(jìn)而把對硅片直徑的評估測試已經(jīng)提高到400mm…

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