WLCSP(Wafer-Level Chip-Scale Package)是一種將晶圓級封裝(WLP)和芯片尺寸封裝(CSP)合為一體的封裝技術(shù)。芯片尺寸封裝(CSP)是指整個(gè)package的面積相比于silicon總面積不超過(guò)120%的封裝技術(shù)。該技術(shù)有效促進(jìn)集成電路的小型化，但是其不適合服務(wù)器級處理器的應用。晶圓級封裝(WLP)是指在晶圓前道工序完成后，直接對晶圓進(jìn)行封裝，再切割分離成…
查看詳情 臺積電的庫存去化時(shí)間將比原先預期更長(cháng)。由于總體經(jīng)濟不佳和市場(chǎng)需求疲弱，庫存去化可能要到今年第三季才能結束。雖然受到庫存調整的持續影響，不含存儲器的半導體產(chǎn)業(yè)、晶圓代工產(chǎn)業(yè)以及臺積電本身的營(yíng)收都將衰退，但臺積電的表現仍將優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平?！ hatGPT的走紅引起了AI風(fēng)潮，業(yè)界關(guān)注ChatGPT效應是否有助于晶圓代工廠(chǎng)商的后續發(fā)展。魏哲家表示，ChatGPT確實(shí)對庫存去化有所幫助，但目前能預…
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焊點(diǎn)中空洞形成的機理多年來(lái)一直是研究的主題。已經(jīng)確定了許多空洞類(lèi)型和形成機制。最引人注目的是大空洞，大空洞形成的主要因素似乎是焊膏中的化學(xué)成分?！ ∥⒖斩?、收縮空洞和Kirkendall空洞也是眾所周知的和備有證據的空洞類(lèi)型，但不屬于本文的討論范圍。多年來(lái)已建立了許多減少空洞形成的技術(shù)?！ ≌{整焊膏化學(xué)成分、回流焊溫度曲線(xiàn)、組件、PCB 和模板設計或涂飾，是當前正在廣泛使用的一些優(yōu)化工具?！?/p> 查看詳情
先進(jìn)晶圓級封裝技術(shù)，主要包括了五大要素： 01 晶圓級凸塊(Wafer Bumping)技術(shù) 02 扇入型(Fan-In)晶圓級封裝技術(shù) 03 扇出型(Fan-Out)晶圓級封裝技術(shù) 04 2.5D 晶圓級封裝技術(shù)(包含IPD) 05 3D 晶圓級封裝技術(shù)(包含IPD) 晶圓凸塊(Wafer Bumping)，顧名思義，即是在切割晶圓之前，于晶圓的預設位置上形成或安裝焊球(亦稱(chēng)凸塊…
查看詳情 目前熱門(mén)的3D IC封裝、HBM以及FOWLP等先進(jìn)封裝工藝都可見(jiàn)到真空壓膜機的蹤跡?！ ≌婵諌耗ねǔＪ侵冈谠O備的真空模塊內將干膜材料與基材進(jìn)行貼合，完成加熱壓膜動(dòng)作，常見(jiàn)的真空壓膜機通常都是采用單段加壓覆膜以及預貼膜的方式，但該方式對于表面具有許多細微凸凹結構的晶圓(如高深寬比TSV孔洞、高密度Cu Pillar Bump等)無(wú)法滿(mǎn)足其高深寬比結構的干膜填覆的晶圓級封裝需求;另外，先…
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芯片與粘接材料間空洞解決方案 引起膠水氣泡的原因一般有兩種，其一，在倒入膠水時(shí)候，導致空氣進(jìn)入膠水內部，而膠水黏度比較高，使空氣無(wú)法從中逃脫;其二，調試膠水不均勻，兩種就是導致膠水出現氣泡最直接的原因。芯片粘接過(guò)程中空洞的出現會(huì )導致很多問(wèn)題的出現，最嚴重，全線(xiàn)無(wú)法生產(chǎn)，需要保證粘接效果無(wú)氣泡也是非常重要的?！ ≌辰雍附託馀萁鉀Q方案： 01 潔凈度 使用芯片粘接工藝時(shí)，應保證粘接界面有良好…
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功率半導體的功能主要是對電能進(jìn)行轉換，對電路進(jìn)行控制，改變電子裝置中的電壓和頻率，直流或交流等，具有處理高電壓，大電流的能力?！ ≡谶^(guò)去相當長(cháng)的一段時(shí)間里，功率半導體市場(chǎng)一直由歐、美、日等外資巨頭牢牢占據著(zhù)主導地位，隨著(zhù)近年來(lái)新能源汽車(chē)的發(fā)展，許多本土企業(yè)也紛紛入局。放眼市場(chǎng)，不論是傳統Si功率器件IGBT、MOSFET，還是以SiC、GaN等為代表的第三代半導體，國內都有企業(yè)布局?！ ?1 …
查看詳情 什么是TSV?TSV是硅通孔的簡(jiǎn)寫(xiě)，利用通孔進(jìn)行垂直的電連接，貫穿WAFER或芯片。一般來(lái)講這種技術(shù)被一些類(lèi)似臺積電，聯(lián)電和格芯等全球代工廠(chǎng)代工廠(chǎng)制造的。TSV可以替代引線(xiàn)鍵合和倒裝焊技術(shù)?！ SV用于2.5 d和3 d封裝，用于電連接。根據TSV被制作的時(shí)間順序有3種類(lèi)型的TSV，分別指在晶圓制作工藝中的前，中或后段。第一個(gè)在晶圓制作工藝前段，意味著(zhù)TSV在FEOL段前加工而成。因此工…
查看詳情 點(diǎn)膠和底部填充的路徑與模式基本要求 在設計點(diǎn)膠路徑時(shí)，不僅要考慮點(diǎn)膠效率和填充流動(dòng)形態(tài)，為了在BGA及類(lèi)似器件的邊緣良好成型，還要認真考慮器件邊緣溢膠區域限制。日前的電子產(chǎn)品，由于其高密度組裝特點(diǎn)，其溢膠區域通常受到限制。某些特定區域溢膠甚至不能超過(guò)器件邊沿的0.1mm，較普遍的是小于0.2mm，見(jiàn)圖7A和7B;同時(shí)限制區域外的膠痕厚度不能高過(guò)PCB表面20um。由此可見(jiàn)，對于手持式產(chǎn)品的高…
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